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聯合國會員國於 2015 年同意 17 項全球永續發展目標 (SDG)，以終結貧困、保護地球並確保全體的興盛繁榮。此人的作品有助於以下永續發展目標：
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過去五年中的合作和熱門研究領域
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專案
- 5 已完成
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Ferroelectricity and Oxide Reliability of Stacked Hafnium–Zirconium Oxide Devices
Liao, R. Y., Chen, H. H., Lin, P. Y., Liang, T. A., Su, K. H., Lin, I. C., Wen, C. H., Chou, W. C., Hsu, H. H. & Cheng, C. H., 2023 5月, 於: Materials. 16, 9, 3306.研究成果: 雜誌貢獻 › 期刊論文 › 同行評審
開啟存取 -
Effect of capping layer on the ferroelectricity of hafnium oxide
Chang, J. H., Zheng, C. G., Chen, H. H., Chen, P. T., Liu, C. B., Huang, K. Y., Hsu, H. H., Cheng, C. H., Chou, W. C. & Han, S. T., 2022 7月 1, 於: Thin Solid Films. 753, 139274.研究成果: 雜誌貢獻 › 期刊論文 › 同行評審
2 引文 斯高帕斯（Scopus） -
Electrical characteristics investigation of ferroelectric memories using stacked and mixed hafnium zirconium oxides
Fang, Y. W., Yang, Z. J., Liao, R. Y., Chen, P. T., Liu, C. B., Huang, K. Y., Hsu, H. H., Cheng, C. H., Chou, W. C., Lin, S. H. & Zhou, Y., 2022 9月 1, 於: Thin Solid Films. 757, 139395.研究成果: 雜誌貢獻 › 期刊論文 › 同行評審
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Ferroelectric Polarization Enhancement in Hafnium-Based Oxides Through Capping Layer Engineering
Chen, H. H., Liao, R. Y., Chou, W. C., Hsu, H. H., Cheng, C. H. & Huang, C. C., 2022, 於: IEEE Journal of the Electron Devices Society. 10, p. 947-952 6 p.研究成果: 雜誌貢獻 › 期刊論文 › 同行評審
開啟存取1 引文 斯高帕斯（Scopus） -
Influence of Y2O3Doped HfO2High-k Films on Electrical Properties of MOS and MIM Devices
Yen, C. F., Huang, Y. Y., Tsao, S. H., Lin, S. H. & Cheng, C. H., 2022, Proceedings of the 2022 5th IEEE International Conference on Knowledge Innovation and Invention, ICKII 2022. Meen, T-H. (編輯). Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., p. 225-229 5 p. (Proceedings of the 2022 5th IEEE International Conference on Knowledge Innovation and Invention, ICKII 2022).研究成果: 書貢獻/報告類型 › 會議論文篇章