每年研究成果
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研究成果
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Effect of plasma oxidation on tin-oxide active layer for thin-film transistor applications
Shang, Z. W., Xu, Q., He, G. Y., Zheng, Z. W. & Cheng, C. H., 2021 四月, 於: Journal of Materials Science. 56, 10, p. 6286-6291 6 p.研究成果: 雜誌貢獻 › 文章 › 同行評審
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Impact of stress and doping effects on the polarization behavior and electrical characteristics of hafnium–zirconium oxides
Hsu, H. H., Liu, H. M., Lee, S. & Cheng, C. H., 2021 一月 15, 於: Ceramics International. 47, 2, p. 2864-2868 5 p.研究成果: 雜誌貢獻 › 文章 › 同行評審
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A comparative study of metal-ferroelectric-metal devices using doped- and stacked-hafnium zirconium oxides
Lee, T. M., Lin, C. L., Fan, Y. C., Lee, S., Liu, W. D., Liu, H. M., Huang, Z. Y., Zheng, Z. W., Wang, S. A., Cheng, C. H. & Hsu, H. H., 2020 五月 1, 於: Thin Solid Films. 701, 137927.研究成果: 雜誌貢獻 › 文章 › 同行評審
1 引文 斯高帕斯（Scopus） -
A p-Type Ferroelectric Field-Effect Transistor Using Ultrathin Hafnium Aluminum Oxide
Cheng, C. H., Liu, C., Tung, Y. C., Chen, H. H., Liao, R. Y. & Chou, W. C., 2020 十二月, 於: Physica Status Solidi - Rapid Research Letters. 14, 12, 2000356.研究成果: 雜誌貢獻 › 文章 › 同行評審
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A Self-align Gate-last Resistive Gate Switching FinFET Nonvolatile Memory Feasible for Embedded Applications
Yang, W. Y., Hsieh, E. R., Cheng, C. H. & Chung, S. S., 2020 六月, 2020 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2020. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., p. 23-24 2 p. 9131669. (2020 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2020).研究成果: 書貢獻/報告類型 › 會議貢獻