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搜尋結果
2022
Simulation and implementation of a two-mode-operation transconductance regulator with a Gallium Nitride High-Electron-Mobility Transistor
Pai, K. J.
&
Lin, C. H.
,
2022 1月
,
於:
International Journal of Circuit Theory and Applications.
50
,
1
,
p. 197-213
17 p.
研究成果
:
雜誌貢獻
›
通訊期刊論文
›
同行評審
simulation
100%
implementation
100%
operation
100%
gallium nitrides
100%
transistors
100%
2
引文 斯高帕斯(Scopus)
2021
Growth of si
3
n
4
thin films on si(111) surface by rf-n
2
plasma nitriding
Chen, W. C.
,
Chen, S.
,
Yu, T. Y.
,
Su, J.
,
Chen, H. P.
,
Lin, Y. W.
&
Cheng, C. P.
,
2021 1月
,
於:
Coatings.
11
,
1
,
p. 1-8
8 p.
, 2.
研究成果
:
雜誌貢獻
›
通訊期刊論文
›
同行評審
開啟存取
surfaces
100%
growth
100%
plasma
100%
thin films
100%
radiowave radiation
100%
5
引文 斯高帕斯(Scopus)
2020
Iterative pose refinement for object pose estimation based on RGBD data
Huang, S. K.
,
Hsu, C. C.
,
Wang, W. Y.
&
Lin, C. H.
,
2020 8月
,
於:
Sensors (Switzerland).
20
,
15
,
p. 1-12
12 p.
, 4114.
研究成果
:
雜誌貢獻
›
通訊期刊論文
›
同行評審
開啟存取
data
100%
iterative methods
100%
Object Pose
100%
geometry
66%
Iterative Refinement
66%
3
引文 斯高帕斯(Scopus)
2019
Identification of spin, valley and moiré quasi-angular momentum of interlayer excitons
Jin, C.
,
Regan, E. C.
,
Wang, D.
,
Iqbal Bakti Utama, M.
,
Yang, C. S.
,
Cain, J.
,
Qin, Y.
,
Shen, Y.
,
Zheng, Z.
,
Watanabe, K.
,
Taniguchi, T.
,
Tongay, S.
,
Zettl, A.
&
Wang, F.
,
2019 11月 1
,
於:
Nature Physics.
15
,
11
,
p. 1140-1144
5 p.
研究成果
:
雜誌貢獻
›
通訊期刊論文
›
同行評審
開啟存取
Spin
100%
Angular Momentum
100%
Exciton
100%
Rules
25%
Spectrometer
25%
106
引文 斯高帕斯(Scopus)
Impact of Zirconium Doping on Steep Subthreshold Switching of Negative Capacitance Hafnium Oxide Based Transistors
Cheng, C. H.
,
Lin, M. H.
,
Chen, H. Y.
,
Fan, C. C.
,
Liu, C.
,
Hsu, H. H.
&
Chang, C. Y.
,
2019 5月
,
於:
Physica Status Solidi - Rapid Research Letters.
13
,
5
, 1800573.
研究成果
:
雜誌貢獻
›
通訊期刊論文
›
同行評審
Oxide
100%
Capacitance
100%
Hafnium
100%
Transistor
100%
Zirconium
100%
10
引文 斯高帕斯(Scopus)
Improved Negative-Capacitance Switch of Ferroelectric Field Effect Transistor Using Defect Passivation Engineering
Cheng, C. H.
,
Fan, C. C.
,
Hsu, H. H.
,
Wang, S. A.
&
Chang, C. Y.
,
2019 2月 1
,
於:
Physica Status Solidi - Rapid Research Letters.
13
,
2
, 1800493.
研究成果
:
雜誌貢獻
›
通訊期刊論文
›
同行評審
engineering
100%
switches
100%
passivation
100%
capacitance
100%
defects
100%
4
引文 斯高帕斯(Scopus)
2017
Experimental Observation of Negative Capacitance Switching Behavior in One-Transistor Ferroelectric Versatile Memory
Cheng, C. H.
,
Chiu, Y. C.
&
Liou, G. L.
,
2017 10月
,
於:
Physica Status Solidi - Rapid Research Letters.
11
,
10
, 1700098.
研究成果
:
雜誌貢獻
›
通訊期刊論文
›
同行評審
Behavior
100%
Transistor
100%
Capacitance
100%
Ferroelectricity
100%
Memory
100%
25
引文 斯高帕斯(Scopus)
In
0.18
Al
0.82
N/AlN/GaN MIS-HEMT on Si with Schottky-drain contact
Chen, P. G.
,
Tang, M.
,
Liao, M. H.
&
Lee, M. H.
,
2017 3月 1
,
於:
Solid-State Electronics.
129
,
p. 206-209
4 p.
研究成果
:
雜誌貢獻
›
通訊期刊論文
›
同行評審
gallium nitrides
100%
transistors
100%
electron mobility
100%
aluminium nitrides
100%
Transistor
100%
5
引文 斯高帕斯(Scopus)