ONO側壁與CESL對MOSFET通道應力影響之分析

楊 煌偉(Huang-Wei Yang), 鄧 榮皓(Rong-Hou Deng), 蔡 旻琦(Ming-Chi Tsai), 屠 名正(Ming-Jenq Twu), 劉 傳璽(Chuan-Hsi Liu)

Research output: Contribution to journalArticle

Abstract

金氧半場效電晶體(MOSFET)的微縮可以提升元件性能,但隨著特定技術的限制與材料的物理極限,使得微縮愈來愈困難,因此使用改變材料的特性,讓元件通道產生應力的研究已經受到許多重視。本實驗除了使用氮化矽接觸窗蝕刻停止層(CESL)外,並加入氮化矽層在傳統上使用的二氧化矽側壁層,形成二氧化矽/氮化矽/二氧化矽(ONO)的複合式側壁。文中探討產生張應力或壓縮應力的CESL層、ONO複合側壁層中不同厚度的氮化矽層,對通道中應力的影響。模擬結果顯示,使用CESL層以及ONO複合式側壁,可明顯地增加電晶體通道中的應力,進而提升元件特性。
Original languageChinese
Pages (from-to)22-27
Number of pages6
Journal真空科技
Volume25
Issue number3
DOIs
Publication statusPublished - 2012

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