ONO側壁與CESL對MOSFET通道應力影響之分析

楊 煌偉(Huang-Wei Yang), 鄧 榮皓(Rong-Hou Deng), 蔡 旻琦(Ming-Chi Tsai), 屠 名正(Ming-Jenq Twu), 劉 傳璽(Chuan-Hsi Liu)

Research output: Contribution to journalArticle

Abstract

金氧半場效電晶體(MOSFET)的微縮可以提升元件性能,但隨著特定技術的限制與材料的物理極限,使得微縮愈來愈困難,因此使用改變材料的特性,讓元件通道產生應力的研究已經受到許多重視。本實驗除了使用氮化矽接觸窗蝕刻停止層(CESL)外,並加入氮化矽層在傳統上使用的二氧化矽側壁層,形成二氧化矽/氮化矽/二氧化矽(ONO)的複合式側壁。文中探討產生張應力或壓縮應力的CESL層、ONO複合側壁層中不同厚度的氮化矽層,對通道中應力的影響。模擬結果顯示,使用CESL層以及ONO複合式側壁,可明顯地增加電晶體通道中的應力,進而提升元件特性。
Original languageChinese
Pages (from-to)22-27
Number of pages6
Journal真空科技
Volume25
Issue number3
DOIs
Publication statusPublished - 2012

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ONO側壁與CESL對MOSFET通道應力影響之分析. / 楊煌偉(Huang-Wei Yang); 鄧榮皓(Rong-Hou Deng); 蔡旻琦(Ming-Chi Tsai); 屠名正(Ming-Jenq Twu); 劉傳璽(Chuan-Hsi Liu).

In: 真空科技, Vol. 25, No. 3, 2012, p. 22-27.

Research output: Contribution to journalArticle

楊煌偉(Huang-WeiY, 鄧榮皓(Rong-HouD, 蔡旻琦(Ming-ChiT, 屠名正(Ming-JenqT & 劉傳璽(Chuan-HsiL 2012, 'ONO側壁與CESL對MOSFET通道應力影響之分析', 真空科技, vol. 25, no. 3, pp. 22-27. https://doi.org/10.29808/JVSROC.201209.0005
楊煌偉(Huang-Wei Yang) ; 鄧榮皓(Rong-Hou Deng) ; 蔡旻琦(Ming-Chi Tsai) ; 屠名正(Ming-Jenq Twu) ; 劉傳璽(Chuan-Hsi Liu). / ONO側壁與CESL對MOSFET通道應力影響之分析. In: 真空科技. 2012 ; Vol. 25, No. 3. pp. 22-27.
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TY - JOUR

T1 - ONO側壁與CESL對MOSFET通道應力影響之分析

AU - 楊, 煌偉(Huang-Wei Yang)

AU - 鄧, 榮皓(Rong-Hou Deng)

AU - 蔡, 旻琦(Ming-Chi Tsai)

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PY - 2012

Y1 - 2012

N2 - 金氧半場效電晶體(MOSFET)的微縮可以提升元件性能,但隨著特定技術的限制與材料的物理極限,使得微縮愈來愈困難,因此使用改變材料的特性,讓元件通道產生應力的研究已經受到許多重視。本實驗除了使用氮化矽接觸窗蝕刻停止層(CESL)外,並加入氮化矽層在傳統上使用的二氧化矽側壁層,形成二氧化矽/氮化矽/二氧化矽(ONO)的複合式側壁。文中探討產生張應力或壓縮應力的CESL層、ONO複合側壁層中不同厚度的氮化矽層,對通道中應力的影響。模擬結果顯示,使用CESL層以及ONO複合式側壁,可明顯地增加電晶體通道中的應力,進而提升元件特性。

AB - 金氧半場效電晶體(MOSFET)的微縮可以提升元件性能,但隨著特定技術的限制與材料的物理極限,使得微縮愈來愈困難,因此使用改變材料的特性,讓元件通道產生應力的研究已經受到許多重視。本實驗除了使用氮化矽接觸窗蝕刻停止層(CESL)外,並加入氮化矽層在傳統上使用的二氧化矽側壁層,形成二氧化矽/氮化矽/二氧化矽(ONO)的複合式側壁。文中探討產生張應力或壓縮應力的CESL層、ONO複合側壁層中不同厚度的氮化矽層,對通道中應力的影響。模擬結果顯示,使用CESL層以及ONO複合式側壁,可明顯地增加電晶體通道中的應力,進而提升元件特性。

KW - 二氧化矽/氮化矽/二氧化矽

KW - 側壁

KW - 應力

KW - 接觸窗蝕刻停止層

KW - Oxide-Nitride-Oxide

KW - Spacer

KW - Stress

KW - CESL (Contact Etch Stop Layer)

U2 - 10.29808/JVSROC.201209.0005

DO - 10.29808/JVSROC.201209.0005

M3 - 文章

VL - 25

SP - 22

EP - 27

JO - 真空科技

JF - 真空科技

SN - 1017-091X

IS - 3

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