ONO側壁與CESL對MOSFET通道應力影響之分析

金氧半場效電晶體（MOSFET）的微縮可以提升元件性能，但隨著特定技術的限制與材料的物理極限，使得微縮愈來愈困難，因此使用改變材料的特性，讓元件通道產生應力的研究已經受到許多重視。本實驗除了使用氮化矽接觸窗蝕刻停止層（CESL）外，並加入氮化矽層在傳統上使用的二氧化矽側壁層，形成二氧化矽／氮化矽／二氧化矽（ONO）的複合式側壁。文中探討產生張應力或壓縮應力的CESL層、ONO複合側壁層中不同厚度的氮化矽層，對通道中應力的影響。模擬結果顯示，使用CESL層以及ONO複合式側壁，可明顯地增加電晶體通道中的應力，進而提升元件特性。