Double Layers Omega FETs with Ferroelectric HfZrO₂ for One-Transistor Memory

K. T. Chen, C. Lo, Y. Y. Lin, C. Y. Chueh, C. Chang, G. Y. Siang, Y. J. Tseng, Y. J. Yang, F. C. Hsieh, S. H. Chang, H. Liang, S. H. Chiang, J. H. Liu, Y. D. Lin, P. C. Yeh, C. Y. Wang, H. Y. Yang, P. J. Tzeng, M. H. Liao, S. T. ChangY. Y. Tseng, M. H. Lee^*Show 2 moreShow less