(110)基板上之P型穿隧式場效電晶體

證穎 高; 偉寧 曾; 正都 沈; 廣禮 羅; 敏鴻 李

doi:10.29913/NDLC.201106.0003

(110)基板上之P型穿隧式場效電晶體

高證穎, 曾偉寧, 沈正都, 羅廣禮, 李敏鴻

Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

Abstract

將P型穿隧式場效電晶體(TFETs)分別製作於(100)(110)方向矽基板之上並量測與研究其電性，利用High-k介電材質與金屬閘極作為閘極堆疊，閘極後形成(Gate-last)製程以避免介電層結晶。比較(100)(110)兩種方向矽基板對p型TFETs之影響，相較於(100)在(110)p-型TFET上有較高I(下標 ON)，(110)方向上的有效質量(Effective Mass)及接面輪廓(Junction Profile)，都是可能可以解釋的原因。

Original language	Chinese (Traditional)
Pages (from-to)	14-19
Number of pages	6
Journal	國家奈米元件實驗室奈米通訊
Volume	18
Issue number	2
DOIs	https://doi.org/10.29913/NDLC.201106.0003
Publication status	Published - 2011

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10.29913/NDLC.201106.0003

Cite this

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keywords = "方向, 穿隧, 次臨界擺幅, Orientation, Tunneling, Subthreshold Swing",

author = "證穎高 and 偉寧曾 and 正都沈 and 廣禮羅 and 敏鴻李",

year = "2011",

doi = "10.29913/NDLC.201106.0003",

language = "繁體中文",

volume = "18",

pages = "14--19",

journal = "國家奈米元件實驗室奈米通訊",

issn = "1029-502x",

publisher = "國家實驗研究院國家奈米元件實驗室",

number = "2",

}

TY - JOUR

T1 - (110)基板上之P型穿隧式場效電晶體

AU - 高, 證穎

AU - 曾, 偉寧

AU - 沈, 正都

AU - 羅, 廣禮

AU - 李, 敏鴻

PY - 2011

Y1 - 2011

N2 - 將P型穿隧式場效電晶體(TFETs)分別製作於(100)(110)方向矽基板之上並量測與研究其電性，利用High-k介電材質與金屬閘極作為閘極堆疊，閘極後形成(Gate-last)製程以避免介電層結晶。比較(100)(110)兩種方向矽基板對p型TFETs之影響，相較於(100)在(110)p-型TFET上有較高I(下標 ON)，(110)方向上的有效質量(Effective Mass)及接面輪廓(Junction Profile)，都是可能可以解釋的原因。

AB - 將P型穿隧式場效電晶體(TFETs)分別製作於(100)(110)方向矽基板之上並量測與研究其電性，利用High-k介電材質與金屬閘極作為閘極堆疊，閘極後形成(Gate-last)製程以避免介電層結晶。比較(100)(110)兩種方向矽基板對p型TFETs之影響，相較於(100)在(110)p-型TFET上有較高I(下標 ON)，(110)方向上的有效質量(Effective Mass)及接面輪廓(Junction Profile)，都是可能可以解釋的原因。

KW - 方向

KW - 穿隧

KW - 次臨界擺幅

KW - Orientation

KW - Tunneling

KW - Subthreshold Swing

U2 - 10.29913/NDLC.201106.0003

DO - 10.29913/NDLC.201106.0003

M3 - 期刊論文

SN - 1029-502x

VL - 18

SP - 14

EP - 19

JO - 國家奈米元件實驗室奈米通訊

JF - 國家奈米元件實驗室奈米通訊

IS - 2

ER -