(110)基板上之P型穿隧式場效電晶體

高 證穎, 曾 偉寧, 沈 正都, 羅 廣禮, 李 敏鴻

    Research output: Contribution to journalArticle

    Abstract

    將P型穿隧式場效電晶體(TFETs)分別製作於(100)(110)方向矽基板之上並量測與研究其電性,利用High-k介電材質與金屬閘極作為閘極堆疊,閘極後形成(Gate-last)製程以避免介電層結晶。比較(100)(110)兩種方向矽基板對p型TFETs之影響,相較於(100)在(110)p-型TFET上有較高I(下標 ON),(110)方向上的有效質量(Effective Mass)及接面輪廓(Junction Profile),都是可能可以解釋的原因。
    Original languageChinese
    Pages (from-to)14-19
    Number of pages6
    Journal國家奈米元件實驗室奈米通訊
    Volume18
    Issue number2
    DOIs
    Publication statusPublished - 2011

    Cite this

    (110)基板上之P型穿隧式場效電晶體. / 高證穎; 曾偉寧; 沈正都; 羅廣禮; 李敏鴻.

    In: 國家奈米元件實驗室奈米通訊, Vol. 18, No. 2, 2011, p. 14-19.

    Research output: Contribution to journalArticle

    高證穎 ; 曾偉寧 ; 沈正都 ; 羅廣禮 ; 李敏鴻. / (110)基板上之P型穿隧式場效電晶體. In: 國家奈米元件實驗室奈米通訊. 2011 ; Vol. 18, No. 2. pp. 14-19.
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    title = "(110)基板上之P型穿隧式場效電晶體",
    abstract = "將P型穿隧式場效電晶體(TFETs)分別製作於(100)(110)方向矽基板之上並量測與研究其電性,利用High-k介電材質與金屬閘極作為閘極堆疊,閘極後形成(Gate-last)製程以避免介電層結晶。比較(100)(110)兩種方向矽基板對p型TFETs之影響,相較於(100)在(110)p-型TFET上有較高I(下標 ON),(110)方向上的有效質量(Effective Mass)及接面輪廓(Junction Profile),都是可能可以解釋的原因。",
    keywords = "方向, 穿隧, 次臨界擺幅, Orientation, Tunneling, Subthreshold Swing",
    author = "證穎 高 and 偉寧 曾 and 正都 沈 and 廣禮 羅 and 敏鴻 李",
    year = "2011",
    doi = "10.29913/NDLC.201106.0003",
    language = "Chinese",
    volume = "18",
    pages = "14--19",
    journal = "國家奈米元件實驗室奈米通訊",
    issn = "1029-502x",
    publisher = "國家實驗研究院國家奈米元件實驗室",
    number = "2",

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    TY - JOUR

    T1 - (110)基板上之P型穿隧式場效電晶體

    AU - 高, 證穎

    AU - 曾, 偉寧

    AU - 沈, 正都

    AU - 羅, 廣禮

    AU - 李, 敏鴻

    PY - 2011

    Y1 - 2011

    N2 - 將P型穿隧式場效電晶體(TFETs)分別製作於(100)(110)方向矽基板之上並量測與研究其電性,利用High-k介電材質與金屬閘極作為閘極堆疊,閘極後形成(Gate-last)製程以避免介電層結晶。比較(100)(110)兩種方向矽基板對p型TFETs之影響,相較於(100)在(110)p-型TFET上有較高I(下標 ON),(110)方向上的有效質量(Effective Mass)及接面輪廓(Junction Profile),都是可能可以解釋的原因。

    AB - 將P型穿隧式場效電晶體(TFETs)分別製作於(100)(110)方向矽基板之上並量測與研究其電性,利用High-k介電材質與金屬閘極作為閘極堆疊,閘極後形成(Gate-last)製程以避免介電層結晶。比較(100)(110)兩種方向矽基板對p型TFETs之影響,相較於(100)在(110)p-型TFET上有較高I(下標 ON),(110)方向上的有效質量(Effective Mass)及接面輪廓(Junction Profile),都是可能可以解釋的原因。

    KW - 方向

    KW - 穿隧

    KW - 次臨界擺幅

    KW - Orientation

    KW - Tunneling

    KW - Subthreshold Swing

    U2 - 10.29913/NDLC.201106.0003

    DO - 10.29913/NDLC.201106.0003

    M3 - 文章

    VL - 18

    SP - 14

    EP - 19

    JO - 國家奈米元件實驗室奈米通訊

    JF - 國家奈米元件實驗室奈米通訊

    SN - 1029-502x

    IS - 2

    ER -