高性能之低溫多晶矽薄膜電晶體及其應用

李 敏鴻, 陳 冠任, 沈 正都, 羅 廣禮

    Research output: Contribution to journalArticle

    Abstract

    結合超薄氧化矽鉿(HfSiO(下標 x))及金屬閘極(TiN)之多晶矽薄膜電晶體,其次臨界擺幅可達193 mV/dec,其製程溫度最高為700℃,適合應用於單片式三維積體電路(Monolithic 3D-IC)及Silicon-on-Glass(SOG)。長通道多晶矽薄膜電晶體有較多晶粒邊界而影響其載子傳遞,因此有較高的汲極(Drain)電流雜訊密度(S(下標 ID))及較小的指數因數(γ),同時在其能隙狀態密度也可證實同樣的結果。此元件在高效能電路設計及應用發展上提供一個解決方案。
    Original languageChinese
    Pages (from-to)24-29
    Number of pages6
    Journal國家奈米元件實驗室奈米通訊
    Volume18
    Issue number1
    DOIs
    Publication statusPublished - 2011

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