Abstract
結合超薄氧化矽鉿(HfSiO(下標 x))及金屬閘極(TiN)之多晶矽薄膜電晶體,其次臨界擺幅可達193 mV/dec,其製程溫度最高為700℃,適合應用於單片式三維積體電路(Monolithic 3D-IC)及Silicon-on-Glass(SOG)。長通道多晶矽薄膜電晶體有較多晶粒邊界而影響其載子傳遞,因此有較高的汲極(Drain)電流雜訊密度(S(下標 ID))及較小的指數因數(γ),同時在其能隙狀態密度也可證實同樣的結果。此元件在高效能電路設計及應用發展上提供一個解決方案。
Original language | Chinese (Traditional) |
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Pages (from-to) | 24-29 |
Number of pages | 6 |
Journal | 國家奈米元件實驗室奈米通訊 |
Volume | 18 |
Issue number | 1 |
DOIs | |
Publication status | Published - 2011 |