鋅蒸發導致鋅錫氧薄膜之組成變化

以脈衝雷射鍍膜技術製備之鋅錫氧薄膜中觀察到組成變化現象，此組成變化歸因於在低氧壓環境下當溫度高於600˚C所產生之鋅蒸發現象。於溫度500˚C以下製備之鋅錫氧薄膜為非晶態，但薄膜隨著提高成長溫度，鋅蒸發現象加劇而逐漸產生結晶，最終當基板溫度達到750˚C時，可得到具有擇優取向之二氧化錫薄膜。以直流反應磁控濺鍍技術製備之鋅錫氧薄膜在後熱處理過程中也發生鋅蒸發現象，後熱處理實驗顯示低氧壓為產生鋅蒸發現象之關鍵條件。本實驗亦研究了成長溫度對於鋅錫氧薄膜的結構、電與光特性之影響。