紅熒烯與矽(100)混成介面形成對鈷薄膜結構與磁特性之影響

張 丞勛(Tony Cheng-Hsun Chang), 許 智瑜(Chih-Yu Hsu), 蔡 志申(Jyh-Shen Tsay)

Research output: Contribution to journalArticle

Abstract

本研究中比較三種異質介面對鈷薄膜成長的結構與磁特性之影響。在矽(100)單晶的表面濺鍍成長鈷薄膜,可以發現當厚度超過80奈米時,利用原子力顯微鏡可以觀察到許多三角錐形狀的特殊表面形貌,透過X光繞射鑑定,此形貌的晶體結構為六方最密堆積,同時從磁滯曲線可以觀察到其方正度都接近一且不受厚度影響。引入紅熒烯當作中介層,由於鈷成長在紅熒烯介面上僅能形成顆粒,無法探測到其六方最密堆積的結構,導致其方正度並無上述之特性。經過退火處理的紅熒烯/矽(100)混成介面,可以使鈷厚度在20奈米就能產生六方最密堆積結構,同時其方正度都不受鈷厚度影響且接近一,呈現出單一磁化易軸以及單一磁域的特性。將矯頑力的大小從高至低排列,其順序皆為鈷/矽(100)、鈷/混成介面、鈷/紅熒烯介面,由於紅熒烯介面表面自由能較低,可以產生緩衝的作用使介面處較為平坦,因此在均勻的紅熒烯分布下緩衝程度較高,使得磁域較連續且缺陷數量較低,造成矯頑力降低。
Original languageChinese
Pages (from-to)65-70
Number of pages6
Journal真空科技
Volume27
Issue number2
Publication statusPublished - 2014

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紅熒烯與矽(100)混成介面形成對鈷薄膜結構與磁特性之影響. / 張丞勛(Tony Cheng-Hsun Chang); 許智瑜(Chih-Yu Hsu); 蔡志申(Jyh-Shen Tsay).

In: 真空科技, Vol. 27, No. 2, 2014, p. 65-70.

Research output: Contribution to journalArticle

張丞勛(TonyC-HC, 許智瑜(Chih-YuH & 蔡志申(Jyh-ShenT 2014, '紅熒烯與矽(100)混成介面形成對鈷薄膜結構與磁特性之影響', 真空科技, vol. 27, no. 2, pp. 65-70.
張丞勛(Tony Cheng-Hsun Chang) ; 許智瑜(Chih-Yu Hsu) ; 蔡志申(Jyh-Shen Tsay). / 紅熒烯與矽(100)混成介面形成對鈷薄膜結構與磁特性之影響. In: 真空科技. 2014 ; Vol. 27, No. 2. pp. 65-70.
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N2 - 本研究中比較三種異質介面對鈷薄膜成長的結構與磁特性之影響。在矽(100)單晶的表面濺鍍成長鈷薄膜,可以發現當厚度超過80奈米時,利用原子力顯微鏡可以觀察到許多三角錐形狀的特殊表面形貌,透過X光繞射鑑定,此形貌的晶體結構為六方最密堆積,同時從磁滯曲線可以觀察到其方正度都接近一且不受厚度影響。引入紅熒烯當作中介層,由於鈷成長在紅熒烯介面上僅能形成顆粒,無法探測到其六方最密堆積的結構,導致其方正度並無上述之特性。經過退火處理的紅熒烯/矽(100)混成介面,可以使鈷厚度在20奈米就能產生六方最密堆積結構,同時其方正度都不受鈷厚度影響且接近一,呈現出單一磁化易軸以及單一磁域的特性。將矯頑力的大小從高至低排列,其順序皆為鈷/矽(100)、鈷/混成介面、鈷/紅熒烯介面,由於紅熒烯介面表面自由能較低,可以產生緩衝的作用使介面處較為平坦,因此在均勻的紅熒烯分布下緩衝程度較高,使得磁域較連續且缺陷數量較低,造成矯頑力降低。

AB - 本研究中比較三種異質介面對鈷薄膜成長的結構與磁特性之影響。在矽(100)單晶的表面濺鍍成長鈷薄膜,可以發現當厚度超過80奈米時,利用原子力顯微鏡可以觀察到許多三角錐形狀的特殊表面形貌,透過X光繞射鑑定,此形貌的晶體結構為六方最密堆積,同時從磁滯曲線可以觀察到其方正度都接近一且不受厚度影響。引入紅熒烯當作中介層,由於鈷成長在紅熒烯介面上僅能形成顆粒,無法探測到其六方最密堆積的結構,導致其方正度並無上述之特性。經過退火處理的紅熒烯/矽(100)混成介面,可以使鈷厚度在20奈米就能產生六方最密堆積結構,同時其方正度都不受鈷厚度影響且接近一,呈現出單一磁化易軸以及單一磁域的特性。將矯頑力的大小從高至低排列,其順序皆為鈷/矽(100)、鈷/混成介面、鈷/紅熒烯介面,由於紅熒烯介面表面自由能較低,可以產生緩衝的作用使介面處較為平坦,因此在均勻的紅熒烯分布下緩衝程度較高,使得磁域較連續且缺陷數量較低,造成矯頑力降低。

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