掃描穿隧顯微鏡研究有機分子(Co-TPP)在鉛/矽(111)表面的自組裝行為

林 榮君, 張 仕欣(Shih-Hsin Chang), 林 登松(Deng-Sung Lin), 傅 祖怡(Tsu-Yi Fu)

Research output: Contribution to journalArticle

Abstract

利用低溫穿隧掃描顯微鏡研究有機分子(四苯基鈷卟啉;Co-TPP)在單層鉛薄膜於矽(111)表面上的自組裝行為。在室溫下沉積後,四苯基鈷卟啉分子具有不同的吸附配置,並形成短程有序的區域在具有(1 × 1)相或不相稱相(Incommensurate Phase; IC Phase)的鉛/矽(111)基底上。四重對稱的四苯基鈷卟啉在自組裝上依然會形成矩形的分子島,並且容易形成雙分子層的島。然而分子受到三重對稱的矽(111)基底所影響,分子島在排列上會符合基底的三個{11-2}方向。低溫時,第一層的分子會相變成兩種結構,這是因為當溫度低於250K時,鉛/矽(111)表面會相變為√7x√3的結構。而相變改變了表面的應力,導致分子型態變化。
Original languageChinese
Pages (from-to)33-39
Number of pages7
Journal真空科技
Volume25
Issue number4
DOIs
Publication statusPublished - 2012

Cite this

掃描穿隧顯微鏡研究有機分子(Co-TPP)在鉛/矽(111)表面的自組裝行為. / 林榮君; 張仕欣(Shih-Hsin Chang); 林登松(Deng-Sung Lin); 傅祖怡(Tsu-Yi Fu).

In: 真空科技, Vol. 25, No. 4, 2012, p. 33-39.

Research output: Contribution to journalArticle

林榮君 ; 張仕欣(Shih-Hsin Chang) ; 林登松(Deng-Sung Lin) ; 傅祖怡(Tsu-Yi Fu). / 掃描穿隧顯微鏡研究有機分子(Co-TPP)在鉛/矽(111)表面的自組裝行為. In: 真空科技. 2012 ; Vol. 25, No. 4. pp. 33-39.
@article{0e295521e3cc4dc38c5a59d95e8d3c15,
title = "掃描穿隧顯微鏡研究有機分子(Co-TPP)在鉛/矽(111)表面的自組裝行為",
abstract = "利用低溫穿隧掃描顯微鏡研究有機分子(四苯基鈷卟啉;Co-TPP)在單層鉛薄膜於矽(111)表面上的自組裝行為。在室溫下沉積後,四苯基鈷卟啉分子具有不同的吸附配置,並形成短程有序的區域在具有(1 × 1)相或不相稱相(Incommensurate Phase; IC Phase)的鉛/矽(111)基底上。四重對稱的四苯基鈷卟啉在自組裝上依然會形成矩形的分子島,並且容易形成雙分子層的島。然而分子受到三重對稱的矽(111)基底所影響,分子島在排列上會符合基底的三個{11-2}方向。低溫時,第一層的分子會相變成兩種結構,這是因為當溫度低於250K時,鉛/矽(111)表面會相變為√7x√3的結構。而相變改變了表面的應力,導致分子型態變化。",
keywords = "掃描穿隧顯微鏡, 四苯基鈷卟啉, 鉛/矽(111), Scanning Tunneling Microscope, Cobalt Tetraphenylporphyrin, Pb/Si(111)",
author = "榮君 林 and 張, {仕欣(Shih-Hsin Chang)} and 林, {登松(Deng-Sung Lin)} and 傅, {祖怡(Tsu-Yi Fu)}",
year = "2012",
doi = "10.29808/JVSROC.201212.0006",
language = "Chinese",
volume = "25",
pages = "33--39",
journal = "真空科技",
issn = "1017-091X",
publisher = "臺灣真空學會",
number = "4",

}

TY - JOUR

T1 - 掃描穿隧顯微鏡研究有機分子(Co-TPP)在鉛/矽(111)表面的自組裝行為

AU - 林, 榮君

AU - 張, 仕欣(Shih-Hsin Chang)

AU - 林, 登松(Deng-Sung Lin)

AU - 傅, 祖怡(Tsu-Yi Fu)

PY - 2012

Y1 - 2012

N2 - 利用低溫穿隧掃描顯微鏡研究有機分子(四苯基鈷卟啉;Co-TPP)在單層鉛薄膜於矽(111)表面上的自組裝行為。在室溫下沉積後,四苯基鈷卟啉分子具有不同的吸附配置,並形成短程有序的區域在具有(1 × 1)相或不相稱相(Incommensurate Phase; IC Phase)的鉛/矽(111)基底上。四重對稱的四苯基鈷卟啉在自組裝上依然會形成矩形的分子島,並且容易形成雙分子層的島。然而分子受到三重對稱的矽(111)基底所影響,分子島在排列上會符合基底的三個{11-2}方向。低溫時,第一層的分子會相變成兩種結構,這是因為當溫度低於250K時,鉛/矽(111)表面會相變為√7x√3的結構。而相變改變了表面的應力,導致分子型態變化。

AB - 利用低溫穿隧掃描顯微鏡研究有機分子(四苯基鈷卟啉;Co-TPP)在單層鉛薄膜於矽(111)表面上的自組裝行為。在室溫下沉積後,四苯基鈷卟啉分子具有不同的吸附配置,並形成短程有序的區域在具有(1 × 1)相或不相稱相(Incommensurate Phase; IC Phase)的鉛/矽(111)基底上。四重對稱的四苯基鈷卟啉在自組裝上依然會形成矩形的分子島,並且容易形成雙分子層的島。然而分子受到三重對稱的矽(111)基底所影響,分子島在排列上會符合基底的三個{11-2}方向。低溫時,第一層的分子會相變成兩種結構,這是因為當溫度低於250K時,鉛/矽(111)表面會相變為√7x√3的結構。而相變改變了表面的應力,導致分子型態變化。

KW - 掃描穿隧顯微鏡

KW - 四苯基鈷卟啉

KW - 鉛/矽(111)

KW - Scanning Tunneling Microscope

KW - Cobalt Tetraphenylporphyrin

KW - Pb/Si(111)

U2 - 10.29808/JVSROC.201212.0006

DO - 10.29808/JVSROC.201212.0006

M3 - 文章

VL - 25

SP - 33

EP - 39

JO - 真空科技

JF - 真空科技

SN - 1017-091X

IS - 4

ER -