彷生應用之可高密度堆疊鐵電穿隧接面記憶體陣列開發

執行本計畫可能產生對各面向的預期影響性 1. 社會發展: 參與人員可藉此機會學習相關半導體製作與設計、化學蝕刻術與相關半導體製程設備等相關知識，並培養研究生實作經驗有助於將來進入此領域。 2. 經濟發展: 將本計畫之技術技轉於廠商，也完成未來世代所需要的新興記憶體，助此領域發展廠商保持技術領先。 3. 學術發展: 本計劃規劃的各研究方向，皆是鐵電鉿基氧化物應用於記憶體陣列之關鍵技術，故本計劃的發展將有利於國內新興記憶體及微電子研發。